SOUBORY NEPŘEKLÁDÁNY - V PŮVODNÍM JAZYCE
RADY PRO OPRAVY - z různých konferencí
VIDEA MONITORY KAMERY TELEVIZORY
RŮZNÉ RŮZNÉ RŮZNÉ TV1
RŮZNÉ 2 RŮZNÉ 2 Panasonic NV - DS5 TV2
SAMSUNG ACER VIDEO+KAMERY TV+MONITORY
  HITACHI Panasonic AG - DP800 TV 3
  SAMSUNG   TV 4
  DATAS    
  DAEWOO    
  RŮZNÉ 3    
  RŮZNÉ 4    
  RŮZNÉ 5    
  RŮZNÉ 6    
       
       
       

.....................

SOFT PRO SERVISNÍ OPRAVNY
zaslal a další informace najdete na stránce : TV DÝDA
SOFT UPDATOVÁNO DATA od : SOUBOR
UFAND - hlavní program k 17.12.2001   U-FAND
OVLADAČE D.O. * jaký ovladač na Hitachi ?,  jak programovat universální ovladač ?,  kde je ten papírek ? k 30.12.2001 Klouda 30.12.01 Ovladače
SCHÉMATA - DOKUMENTACE * uložte si svá schémata a jejich osazení IO, pak najdete podobné schéma i podle tohoto osazení k 30.12.2001 Klouda 30.12.01 Schémata
VÝPOČTY * občas i zatvrzelý opravář-praktik musí počítat - proč si to neusnadnit ? k 27.01.2002   Výpočty
ZÁVADY PŘÍSTROJŮ * tuhle závadu už jsem spravoval, ale čím to tenkrát bylo ? ...taky to znáte ?  Nahrajte si Závady! k 30.12.2001 moje 13.01.02
Klouda 27.01.02		 Závady
VÝPISY EEPROMEK PRO TV k 17.12.2001   EEPROM

Zapojení patic obrazovek
A51EAL55X01
A51EBV13X01 = A51ECQ10X01
A59EAF10X01
A59TMZ40X01
A66EAF00X01
A48EAX13X01 = A48NCR00X06, A51-231X, A51-421X,A51-427X
A51-433X, A51-457X, A51-590X, A51-591X
A48ECR11X16
A34EFU33X91
510UFB22 = A48EAX13X01
510VSB22
510XFB22

B10-277

37SX101

B12-262
A38NCR00X05 = A42-590X
A33PCR01X01
671QQ22
561QQ22
51LK2C
61LK5C
25LK2C
32LK1C
32LK2C

B8-274
A41JAR40X02 = A41EAM40X01
A46JAR40X01
A51JAR43X01
A51JAR90X01
A51JAR96X01
A59EAK00X01
A34EAC01X06 = A34JAN30X01, A34JFC40X11, A34JLL90X23
A34KCQ12XX29
370KRB22

B8-294
A38JLL90X01
  
   
   

 

Stabilizátor se Zenerovou diodou

Zadejte parametry a klikněte na tlačítko :
Maximální vstupní napětí (Voltů)
Minimální vstupní napětí (Voltů)
Potřebné stabilizované výstupní napětí (Voltů)
Maximální odebíraný proud (mA)

 

   +---------+
   |        _|_
   |        |  |
   o        |R |
            |__|    
  Vstupní    |      
  napětí     +-------->---o
   o       __|__+
   |      /  /\            Výstupní
   |        /__\ Zenerova  napětí
   |          |  dioda
   +----------+-----------o

   Předřadný R = 
Zenerova dioda =

Barevné značení kondenzátorů

barva

první a druhá
číslice

násobitel

přípustná
tolerance kapacity,
%

nominální
napětí ,
V

Šedá

-

-

-

3,2

Černá

10

1

+/- 20

4,0

Hnědá

12

10

+/- 1

6,3

Červená

15

102

+/- 2

10

Oranžová

18

103

+/- 0,25

16

Žlutá

22

104

+/- 0,5

40

Zelená

27

105

+/- 5

25

Modrá

33

106

+/- 1

32

Fialová

39

107

-20...+50

50

Šedá

47

10-2

-20...+80

-

Bílá

56

10-1

+/-10

63

Stříbrná

68

-

-

2,5

Zlatá

82

-

-

1,5

Barevné značení kondenzátorů 2

HODNOTA
1 a 2 proužek
 Násobitel
pF
3 proužek		 Tolerance kapacity
%
4proužek		 Pracovní napětí
V
5 proužek		 BAREVNÝ PROUŽEK
0 1 +/- 20   ČERNÁ
1 10 +/- 1 - HNĚDÁ
2 100 +/- 2 250 V ČERVENÁ
3 1000 +/- 0,25 - ORANŽOVÁ
4 10000 +/- 0,5 400 V ŽLUTÁ
5 100000 +/- 5 - ZELENÁ
6 106 +/- 1 - MODRÁ
7 107 -20...+50 5 FIALOVÁ
8 10-2 -20...+80 - ŠEDÁ
9 10-1 +/- 10 - BÍLÁ

 

Barevné značení odporů
 
Barva 1 proužek 2 proužek 3 proužek násobitel tolerance
Černá 0 0 0 1 1%
Hnědá 1 1 1 10 2%
Červená 2 2 2 100  
Oranžová 3 3 3 1000  
Žlutá 4 4 4 10.000  
Zelená 5 5 5 100.000 0.5%
Modrá 6 6 6 1.000.000 0.25%
Fialová 8 7 7 10.000.000 0.1%
Šedá 7 8 8   0.05%
Bílá 9 9 9    
Zlatá       0.1 5%
Stříbrná       0.01 10%
   
4 proužkový kód 5 proužkový kód
1 proužek - hodnota 1 proužek - hodnota
2 proužek - hodnota 2 proužek - hodnota
3 proužek - násobitel 3 proužek - hodnota
4 proužek - tolerance 4 proužek - násobitel
  5 proužek - tolerance
rez4.gif (1010 bytes) rez5.gif (1136 bytes)

 

Vysvětlivky pro parametry uvedené níže v tabulkách
C-Di- (Capacitance diode [varactor, varicap])
MOS-N(P)-FET-d(e)- (Metal oxide FET, enhancement type)
N-FET- (N-channel field-effect transistors)
P-FET- (P- channel field-effect transistors)
Si-Di- (Silicon diode)
Si-N- (Silicon NPN transistor)
Si-N-Darl- (Silicon NPN Darlington transistor)
Si-P- (Silicon PNP transistor)
Si-P-Darl- (Silicon PNP Darlington transistor)
Si-St- (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction])
T- (Tuner Diodes)
Tetrode- (P- + N-gate thyristor)
Vrf- (Voltage reference diodes)
Vrg- (Voltage requlator diodes)
AM- (RF application)
Band-S- (RF band switching)
Chopper- (Chopper)
Dual- (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode)
FED- (Field effect diode)
FM- (RF application)
HF- (RF application [general])
LED- (Light-emitting diode)
M- (Mixer stages)
Min- (Miniaturized)
NF- (AF applications)
o- (Oscillator stages)
ra- (Low noise)
S- (Switching stages)
SS- (Fast switching stages)
sym- (SyMinetrical types)
Tr- (Driver stages)
tuning(RF tuning diode)
Tunnel-Di- (Tunnel diode)
UHF- (RF applications [>250MHz])
Uni- (General purpose tyres)
V- (Pre/input stages)
VHF- (RF applications [approx. 100..,250 MHz])
Vid- (Video output stages)

Polovodiče v pouzdře SOT - 23

Polovodič označení popis analog (přibližný) některé parametry
typické obr.
BA316 A6   Si-Di BAW62, 1N4148 Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17 A91   Si-St BA314 Min, Stabi, 0.75...0.83V/10mA
BA319 A8   Si-Di BAV19 Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20 A81   Si-Di BAV20 Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21 A82   Si-Di BAV21 Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29 L20   Si-Di BAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31 L21   Si-Di 2XBAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35 L22   Si-Di 2xBAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAT17 A3   Pin-Di BA480 VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
BAT18 A2   Pin-Di BA482 VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz
BAV70 A4   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAV99 A7   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAW56 A1   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
BBY31 81   C-Di BB405, BB609 UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 - 2.8pF
BBY40 S2   C-Di BB809 UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
BC807-16 5A 5AR Si-P BC327-16 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
BC807-25 5B 5BR Si-P BC327-25 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC807-40 5C 5CR Si-P BC327-40 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
BC808-16 5E 5ER Si-P BC328-16 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
BC808-25 5F 5FR Si-P BC328-25 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC808-40 5G 5GR Si-P BC328-40 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
BC817-16 6A 6AR Si-N BC337-16 Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
BC846B 1? 1BR Si-N BC546B Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
BC847A 1E 1ER Si-N BC547A, BC107A Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC847B 1F 1FR Si-N BC547B, BC107B Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC847C 1G 1GR Si-N BC547C, BC107C Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC848A U 1JR Si-N BC548A, BC108A Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC848B 1K 1KR Si-N BC548B, BC108B Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC848C 1L 1LR Si-N BC548C, BC108C Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC849B 2B 2BR Si-N BC549B, ??108? Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC849C 2C 2CR Si-N BC549C, BC109C Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC850B 2F 2PR Si-N BC550B, BCY59 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC850C 2G 2GR Si-N BC550C, BCY59 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC856A 3A 3AR Si-P BC556A Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC856B 3B 3BR Si-P BC556B Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857A 3E 3ER Si-P BC557A, BC177A Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC857B 3F 3FR Si-P BC557B, BC177B Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857C 3G 3GR Si-P BC557C Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BC858A 3J 3JR Si-P BC558A, BC178A Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
BC858B 3K 3KR Si-P BC558B, BC178B Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
BC858C 3L 3LR Si-P BC558C Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800
BC859A 4A 4AR Si-P BC559A, BC179A, BCY78 Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
BC859B 4B 4BR Si-P BC559B, BCY79 Min, Uni, ra,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC859C 4C 4CR Si-P BC559C, BCY79 Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BC860A 4E 4ER Si-P BC560A, BCY79 45V, 0.1A, 150MHz, B= 150
BC860B 4F 4FR Si-P BC560B, BCY79 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC860C 4G 4GR Si-P BC560C, BCY79 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29 C7 C77 Si-P BC559A, BCY78, BC179 Min, NF-V, ra, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF30 C8 C9 Si-P BC559B, BCY78 Min, NF-V, ra, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF32 07 077 Si-N BC549B, BCY58, BC109 Min, NF-V, ra, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33 D8 D81 Si-N BC549C, BCY58 Min, NF-V, ra, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF70 H7 H71 Si-P BC560B, BCY79 Min, NF-V, ra, 50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81 K9 K91 Si-N BC550C Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, ??
BCV71 K7 K71 Si-N BC546A NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
BCV72 K8 K81 Si-N BC546B NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29 C1 C4 Si-P BC178A, BC558A Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
BCW30 C2 C5 Si-P BC178B, BC558B Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, ?= >215
BCW31 D1 D4 Si-N BC108A,BC548A Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, ?= >110
BCW32 02 D5 Si-N BC108B, BC548 Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33 D3 06 Si-N BC108C, BC548C Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60A AA   Si-N BC548A Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60B AB   Si-N BC548B Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450
BCW60C AC   Si-N BC548B Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
BCW60D AD   Si-N BC548C Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61A BA   Si-P BC558A Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
BCW61B BB   Si-P BC558B Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61C BC   Si-P BC558B Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61D BD   Si-P BC558C Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69 H1 H4 Si-P BC557A Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70 H2 H5 Si-P BC557B Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71 K1 K4 Si-N BC547A Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72 K2 K5 Si-N BC547B Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81 K3 K31 Si-N BC547C Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
BCW89 H3 H31 Si-P BC556A Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCX17 T1 T4 Si-P BC327 Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
BCX18 T2 T5 Si-P BC328 Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
BCX19 U1 U4 Si-N BC337 Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
BCX20 U2 U5 Si-N BC338 Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
BCX70G AG   Si-N BC107A, BC547A Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
BCX70H AH   Si-N BC107B, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70J AJ   Si-N BC107B, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCX70K AK   Si-N BC107C, BC547C Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCX71G BG   Si-P BC177A, BC557A Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
BCX71H BH   Si-P BC177B, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475
BCX71J BJ   Si-P BC177B, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
BCX71K BK   Si-P BC557C Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510 S6   N-FET BF410A Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511 S7   N-FET BF410B Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512 S8   N-FET BF410C Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513 S9   N-FET BF410D Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536 G3   SI-P BF936 Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
BF550 G2 G5 Si-P BF450 Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569 G6   Si-P BF970 Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
BF579 G7   Si-P BF979 Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
BF660 G8 G81 Si-P BF606A Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
BF767 G9   Si-P BF967 Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
BF820     S-N BF420 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF821 1W   Si-P BF421 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822 1X   Si-N BF422 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF823 1Y   Si-P BF423 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824 F8   Si-P BF324 Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840 F3   Si-N BF240 Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz
BF841 F31   SI-N BF241 Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30 M1   N-FET BFW-11, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31 M2   N-FET BFW12, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
BFR53 N1 N4 Si-N BFW30, BFW93 Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92 P1 P4 Si-N BFR90 Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92A P2 Pb Si-N BFR90 Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93 R1 R4 Si-N BFR91 Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFR93A R2 R5 Si-N BFR91 Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFS17, (BFS17A) E1 (E2) E4 (F5) Si-N BFY90, BFW92(A) Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18 F1 F4 Si-N BF185, BF495 Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
BFS19 F2 F5 Si-N BF184, BF494 Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
BFS20 G1 G4 Si-N BF199 Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
BFT25 V1 V4 Si-N BFT24 Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ
BFT46 M3   NFT BFW13, BF245 Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92 W1 W4 Si-P " BFQ51, BFQ52 Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93 X1 X4 Si-P BFQ23, BFQ24 Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
BRY61 A5   BYT BRY56 70V
BRY62 A51   Tetrode BRY56, BRY39 Tetrode, Min, 70V, 0.175A
BSR12 B5 B8 Si-P 2N2894A Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
BSR13 U7 U71 Si-N 2N2222, PH2222 Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14 U8 U81 Si-N 2N2222A, PH2222A Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15 T7 T71 Si-P 2N2907, PH2907 Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16 T8 T81 Si-P 2N2907A, PH2907A Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17 U9 U91 Si-N 2N3903 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150
BSR17A U92 U93 Si-N 2N3904 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
BSR18 T9 T91 Si-P 2N3905 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18A T92 T93 Si-P 2N3906 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19 U35   Si-N 2N5550 Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19A U36   Si-N 2N5551 Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20 T35   Si-P 2N5400 Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20A T36   Si-P 2N5401 Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56 M4   N-FET 2N4856 Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
BSR57 M5   N-FET 2N4857 Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58 M6   N-FET 2N4858 Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63 T3 T6 Si-P BSS68 Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
BSS64 U3 U6 Si-N BSS38 Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52 B2 B3 Si-N PH2369, BSX20 Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
BZX84-... jako u BZX49/   Si-St BZX79 Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
PBMF4391 M62   N-FET - Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392 M63   N-FET - Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393 M64   N-FET - Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

Polovodiče v pouzdře SOT - 89

Polovodič označení popis analog (přibližný) některé parametry
BC868 CAC Si-N BC368, BD329 Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MH2
BC869 CEC Si-P BC369, BD330 Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz
BCV61 D91 Si-N   Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz
BCV62 C91 Si-P - Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz
BCX51 AA Si-P BC636, BD136 Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
BCX52 AE Si-P BC638, BD138 Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
BCX53 AH Si-P BC640, BD140 Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
BCX54 BA Si-P BC635, BD135 Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
BCX55 BE Si-N BC637, BD137 Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
BCX56 BH Si-N BC639, BD139 Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
BCX68 CA Si-N BC368, BD329 Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz
BCX69 CE Si-P BC369, BD300 Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz
BF620 OC Si-N BF420, BF471, BF871 Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz
BF621 DF Si-P BF421, BF472, BF872 Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz
BF622 DA Si-N BF422, BF469, BF869 Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz
BF623 DB Si-P BF423, BF470, BF870 Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz
BFQ17 FA Si-N BFW16A Min, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz
BFQ18A FF Si-N BFQ34, BFQ64 Min, UHF-A, 25V, 150mA, 3.6GHz
BFQ19 FB Si-N BFR96, 2SC3268 Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz
BFQ67 V2 Si-N BFQ65 Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra
BSR30 BR1 Si-P 2N4030 Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40
BSR31 BR2 Si-P 2N4031 Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100
BSR32 BR3 Si-P 2N4032 Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40
BSR33 BR4 Si-P 2N4033 Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100
BSR40 AR1 Si-N BSX46-6 Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40
BSR41 AR2 Si-N BSX46-16 Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100
BSR42 AR3 Si-N 2N3020 Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40
BSR43 AR4 Si-N 2N3019 Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns,B>100
BST15 BT1 Si-P 2N5415 Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz
BST16 BT2 Si-P 2N5416 Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz
BST39 AT1 Si-N - Min, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz
BST40 AT2 Si-N - Min, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz
BST50 AS1 Si-N-Darl BSR50, BSS50, BDX42 Min, 60V, 1A, 350MHz, B>2000
BST51 AS2 Si-N-Darl BSR51, BSS51, BDX43 Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000
BST52 AS3 Si-N-Darl BSR52, BSS52, BDX44 Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000
BST60 BS1 Si-P-Darl BSR60, BSS60, BDX45 Min, 60V,1A, 350MHz, B>2000
BST61 BS2 Si-P-Darl BSR61, BSS61, BDX46 Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000
BST62 BS3 Si-P-Darl BSR62, BSS62, BDX47 Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000
BST80 KM MOS-N-FET-e BST70A V-MOS, Min, 80V, 0.5A, 1W, <10/15ns
BST84 KN MOS-N-FET-e BST24A V-MOS, Min, 200V, 0.3A, 1W, <10/15ns
BST86 KQ MOS-N-FET-e BST76A V-MOS, Min, 180V, 0.3A, 1W, <10/15ns
BST120 LM MOS-P-FET-e BST100 V-MOS,SS, 60V, 0.3A, 1W, <4/20ns
BST122 LN MOS-P-FET-e BST110, BS250 V-MOS,SS, 50V, 0.3A, 1W, <4/20ns
BZV49 viz níže Z-Di BZV85 Min, Mn/Vrg Uz= 2.4 - 75V, P= 1W

 

BZX84/ a BZV49/ označení BZV49/ označení BZV49/ označení BZV49/ označení
.....C2V4 Z11 .....C2V7 Z12 .....C3VO Z13 .....C3V3 Z14
.....C3V6 Z15 .....C3V9 Z16 .....C4V3 Z17 .....C4V7 Z1
.....C5V1 Z2 .....C5V6 Z3 .....C6V2 Z4 .....C6V8 Z5
.....C7V5 Z6 .....C8V2 Z7 .....C9V1 Z8 .....C10 Z9
.....C11 Y1 .....C12 Y2 .....C13 Y3 .....C15 Y4
.....C16 Y5 .....C18 Y6 .....C20 Y7 .....C22 Y8
.....C24 Y9 .....C27 Y10 .....C30 Y11 .....C33 Y12
.....C36 Y13 .....C39 Y14 .....C43 Y15 .....C47 Y16
.....C51 Y17 .....C56 Y18 .....C62 Y19 .....C68 Y20
.....C75 Y21      

Polovodiče v pouzdře SOT - 143

Polovodič označení materiál a vodivost analog (přibližný) některé parametry
BAS28 A61 Si-Di 2x1N4148 S, 70V, 0.25A, <4ns
BAV23 L30 Si-Di 2x BAV21 S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns
BF989 M89 MOS-N-FET-d BF960 Dual-Gate, Min, UHF, 20V, Idss >2mA, Up <2.7V
BF990 M90 MOS-N-FET-d BF980 Dual-Gate, Min, UHF, 18V, Up<2.5V
BF991 M91 MOS-N-FET-d BF981 Dual-Gate, Min, FM/VHF, 18V, Idss >4mA, Up <2.5V
BF992 M92 MOS-N-FET-d BF982 Dual-Gate, Min, FM/VHF, 20V, Up <1.3V
BF994 (BF994S) M94 (M93) MOS-N-FET-d BF964 (BF964S) Dual-Gate, Min, FM/VHF, Idss >6mA, Up <3.5V
BF996 (BF996S) M96(M95) MOS-N-FET-d BF966 (BF966S) Dual-Gate, Min, UHF, 20V, Idss >2mA, Up <2.5V
BFG67 V3 Si-N BFG65 Min, VHF/UHF-A, 20V, 0.05A, 7.5GHz
BFR101A (BFR101B) M97 (M98) N-FET - Min, Uni, sym, 30V, Idss >0.2mA, Up <2.5V
BSD20 M31 MOS-N-FET-d - SS, Chopper, Min, 15V, 50mA, 1/5ns
BSD22 M32 MOS-N-FET-d - SS, Chopper, Min, 25V, 50mA, 1/5ns
BSS83 M74 MOS-N-FET-e - Min, HF, 25V, Up <2V

Polovodiče v pouzdře SOD - 80

Polovodič označení popis analog (přibližný) některé parametry
BA682 červená proužek Pin-Di BA482 VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1 A, 200MHz
BA683 červená + oranžová Pin-Di BA483 VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1A, 200MHz
BAS32 černý proužek Si-Di 1N4148 Min, SS, 75V, 0.2A, <4ns
BAV100 zelená + černá Si-Di BAV18 S, Uni, 25V, 0.25A, <50ns
BAV101 zelená + hnědá Si-Di BAY 19 S, Uni, 120V, 0.25A, <50ns
BAV102 zelená + červená Si-Di BAV20 S, Uni, 200V, 0.25A, <50ns
BAV103 zelená + oranžová Si-Di BAV21 S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns
BB215 bílá + zelená C-Di BB405B UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cp >18pF
BB219 bílá C-Di BB909 Min, VHF-Tuning, 8V,20mA,Cp>31pF

OSTATNÍ
JAK PRACUJE MIKROVLNKA ?

TELEFONY a RADIOTELEFONY

DÁLKOVÁ OVLÁDÁNÍ , TISKÁRNY, MIKROVLNKY AJ.

Princip funkce magnetické karty /ProxCard/Rambler's Top100

Řeč bude o kartách typu "MIFARE 1 S50", které se používají třeba v městské dopravě .
Samotné karty s městskou dopravou nesouvisejí a mohou být použity i jinde / třeba při identifikaci vstupu do objektu ap./.

Samotná karta obsahuje dvě součástky - integrovaný obvod a ploché vinutí jako anténu, použitou jak na vytvoření napájecího napětí, tak i pro spojení s host - systémem (turniketem). Napětí v anténě indukované turniketem je dostatečně veliké, aby po usměrnění a stabilizaci stačilo pro zpracování informací čipem karty a vyslání informací.
Přenos mezi kartou a turniketem pracuje na frekvenci 13,56 Mhz a přenos dat dosahuje rychlosti 106 kB. Přitom karta se pohybuje jen ve vzdálenosti cca 10 cm od turniketu a je pravidlem, že za dobu 0,1 sekundy se provedou všechny potřebné operace s kartou / za tuto dobu se provede 10-20 základních operací, jako přečtení - zápis bloku dat.

Co představuje tato karta z pohledu programátora ? Prakticky je to 1 kB energeticky nezávislá pamětˇ rozdělená na 16 sektorů . V každém sektoru se nachází 4 16 bajtové bloky . Blok - nejmenší adresná jednotka při práci s kartou. Sektor - jednotka, ve které jsou uloženy různé hodnoty a klíče pro provedení operací . Každý sektor obsahuje řadu klíčů a hodnoty udávají , jaká je platnost karty.

Možnosti použití této karty mohou být víceúčelové, třeba pro použití oprávněnosti vstupu do budovy ,současně pro výběr peněz z bankomatu a třeba i klíčem-heslem k nějakému počítači. Každé funkci karty je přidělen sektor, ve kterém je uloženo vše, co je potřebné. Nejčastěji jsou používány sektory 0 a 15 na kartě, 0 sektor je speciální a v jeho 0 bloku je uložen " identifikátor karty " , který slouží pro odlišení od jiných karet. V 15 bloku je uložena informace - měsíc , ve kterém skončí platnost atd..

Pokud vlastníte takovou kartu, přijdete s ní k turniketu a přiblížíte kartu ke čtečce. Elektrom. tok přijatý anténou karty postupuje dále do karty a napájí ji energií . Současně je v elm. toku obsažen kódovaný dotaz turniketu ke kartě ( přes její anténu pomocí nashromážděné energie ) na její identifikátor, po uznání správného typu karty je s ní povolena další komunikace. Nastupuje kontrola sériového čísla karty, jestliže je současně ke čtečce přiblíženo více karet - třeba pro různé použití, dochází ke kolizi čtení sér. čísla ze všech karet a dochází k opakovanému čtení. Turniket také může ostatní karty požádat o tzv. umlčení ,aby mohl komunikovat se správnou kartou .

Potom dochází k výběru sektoru karty, s kterým si turniket / nebo jiné zařízení pro práci s bezkont. kartami / bude vyměnˇovat informace . Pro danný sektor se informace přenáší šiframi, potvrzujícími si navzájem, že karta i turniket jsou pravé - to je, za koho se vydávají. Při tom se používá způsob - "já ti pošlu číslo, ty jej zašifruj a výsledek mi zašli". Tato kontrola se provádí z obou směrů / turniket-karta a karta-turniket/, aby byla jistota, že "oni jsou oni" . Zapíná se šifrování kanálu a turniket může pomocí vlastního klíče číst a modifikovat data v kartě.

Každá karta je opatřena nedělitelným sériovým číslem a to samotné je mnoho funkčním klíčem již na této úrovni. Po přečtení sériového čísla není potřeba znát nějaké další klíče a platné sériové číslo může být uloženo v databázi systému.